专利择要显示,本发明公开了一种颗粒Zeta电位的打算方法及其运用。
详细的,该打算方法包括:获取多少已知粒径和Zeta电位的颗粒样本的检测电脉冲旗子暗记并记录其电脉冲旗子暗记的脉冲峰值和脉冲宽度,该检测电脉冲旗子暗记为样本中颗粒在电场力浸染下通过颗粒检测装置的检测区域测定得到。
基于所述颗粒的粒径及其电脉冲旗子暗记的脉冲峰值和脉冲宽度构建颗粒Zeta电位打算模型。
本发明在利用电泳的事理的同时,充分引入了对颗粒粒径大小的剖析,再通过对单个颗粒电泳脉宽做出剖析和打算,得出单颗粒的Zeta电位。
这一方法能大大优化目前对Zeta电位的打算,使得Zeta电位算法更加准确和稳定,真正意义上实现单颗粒的Zeta电位检测。

本文源自金融界

瑞芯智造申请颗粒Zeta电位计算方法及其应用专利大年夜大年夜优化Zeta电位的计算