此举使三星在采取 High-NA EUV 技能方面掉队于英特尔一年，但领先于竞争对手台积电和 SK 海力士。该系统估量将于 2025 年中期投入利用，紧张用于研发目的。
三星不仅关注光刻设备本身，还在环绕 High-NA EUV 技能建立一个全面的生态系统。该公司正在与几个主要的互助伙伴互助，如 Lasertec（开拓用于High-NA光罩的检测设备）、JSR（开拓前辈的光刻胶）、东京电子（增强蚀刻机）和 Synopsys（在光罩上转向曲线图案，以提高电路精度）。High-NA EUV 技能有望在芯片制造方面取得重大进展。
与目前的低纳秒级超紫外系统比较，High-NA秒级超紫外技能具有 8 纳米的分辨率能力，可使晶体管的尺寸缩小约 1.7 倍，晶体管密度提高近三倍。然而，向高NA EUV过渡也面临着寻衅。这些工具更加昂贵，每件本钱高达 3.8 亿美元，而且成像区域较小。其较大的尺寸也哀求芯片制造商重新考虑晶圆厂的布局。
只管存在这些障碍，三星的目标是到 2027 年实现High-NA超高真空技能的商业运用。
