三星被曝最快2024岁尾前开始安装首台HighNA EUV光刻机

宣布称三星将在其华城园区内安装首台 ASML Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻机，紧张用于研发目的，开拓用于逻辑和 DRAM 的下一代制造技能。

三星操持环绕高 High-NA EUV 技能开拓一个强大的生态系统：除了收购高 NA EUV 光刻设备外，三星还与日本 Lasertec 公司互助开拓专门用于 High-NA 光掩膜的检测设备。

IT之家援引 DigiTimes 宣布，三星已经购买了 Lasertec 的 High-NA EUV 掩膜检测工具 Actis A300。

三星电子半导体研究所的 Min Cheol-ki 博士在 2024 年光刻与图案化研讨会上表示：“与传统的 [EUV 专用工具] 比较，利用 [High-NA EUV 专用工具] 检测半导体掩膜可将比拟度提高 30% 以上”。

宣布还称三星还与光刻胶制造商 JSR 和蚀刻机制造商东京电子公司互助，准备在 2027 年之前将高纳 EUV 工具投入商业运用。

三星还与新思科技（Synopsys）互助，在光掩膜上从传统的电路设计转向曲线图案。
这一转变有望提高电路压印在晶片上的精度，这对进一步完善工艺技能至关主要。