专利择要显示，本发明供应了一种浮栅的制备方法，包括：供应衬底，形成氮化硅层覆盖衬底，刻蚀氮化硅层形成多少氮化硅图形，由于氮化硅材质特性，使得氮化硅图形的侧壁垂直，相邻两个氮化硅图形之间暴露出部分衬底；然后形成浮栅材料层覆盖氮化硅图形且添补于相邻两个氮化硅图形之间暴露的衬底上；再刻蚀去除氮化硅图形上方的浮栅材料层以及部分厚度的氮化硅图形，保留的浮栅材料层作为浮栅，浮栅的下部分侧壁与氮化硅图形的侧壁打仗使得浮栅的下部分侧壁垂直；以及，去除剩余的氮化硅图形；本发明能够降落泄电的可能性，提高器件的可靠性，并且对浮栅的尺寸进行精准掌握。
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