专利择要显示，本发明揭示了一种孔道添补方法及运用，所述方法包括以下步骤：供应一表面形成有孔道的基体；将有机硅酯及碱溶液至少施加于基体表面的孔道内；有机硅酯在碱溶液中进行 Si‑O‑Si 聚合反应，掌握聚合反应的温度和/或韶光，至少在孔道内成长二氧化硅颗粒；对基体进行烘烤，挥发除二氧化硅颗粒之外的液态物，至少在孔道内形成二氧化硅介质。本发明中的孔道添补方法具有低本钱、易履行、低毛病等优点，尤实在用于半导系统编制造中博识宽比和小开口的孔道添补；通过掌握反应温度和韶光，可以掌握二氧化硅颗粒的尺寸、间隙等，进而调节二氧化硅介质的等效介电常数 K 值，实现低 K 值绝缘介质的成长。
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